説明
半導体レーザー脱毛治療の基本原理は選択的光熱理論です。, マシンは 755/808/1064NM レーザーを発行しました, 755/808/1064NMレーザーは表皮の着色された毛包を損傷することなく容易に吸収されます。, 放出された光のエネルギーは熱に変換された後、毛包の色素沈着によって吸収される可能性があります。, したがって、毛包内の温度が上昇します, 温度が一定の温度まで上昇すると, 毛包は一定期間が経過すると回復不能に破壊されます, 損傷した卵胞は体の新陳代謝とともに排泄されます, 永久脱毛を実現するために 4-5 治療法. その間に, 肌の若返りもできます
| 入力電力 | 1600W(レーザーバーにより決定) |
| 出力電力 | 1200W |
| 頻度 | 1-10Hz |
| 冷却システム | 風+水+TEC |
| スポットサイズ | 12*10 mm |
| パルス幅 | 30-400 MS |
| エネルギー密度 | 20-120 J/cm2 |








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